Два с половиной года назад компания Samsung начала первой выпускать многослойную флеш-память типа 3D NAND. Уход в вертикаль дал возможность уменьшить площадь кристалла на пластине и увеличить число выхода микросхем с каждой пластины (или снижение себестоимости), сообщает 3Dnews.
При этом для выпуска многослойной флеш-памяти не нужно использовать самые передовые техпроцессы типа 15-нм 16-нм, что дает возможность использовать “старое” оборудование и, что важно для потребителей, не ухудшает качественные характеристики микросхем энергонезависимой памяти. Ведь чем тоньше техпроцесс, тем меньше в ячейке места для хранения заряда, что ускоряет износ ячеек. Для выпуска 3D NAND используются техпроцессы класса 30-40 нм со всеми вытекающими, что, в общем-то, замечательно.
Прогресс в деле выпуска памяти 3D NAND дал возможность компании Samsung начать фазу экономии инвестиций в производство. Пока конкуренты всеми силами налаживают выпуск коммерческих партий 3D NAND, компания Samsung может расслабиться. В текущем году Samsung собирается снизить сумму инвестиций в производство памяти (DRAM и NAND) с прошлогоднего уровня $13 млрд. до $9 млрд. В компании это объясняют ожидаемым снижением цен на NAND-флеш в связи с перепроизводством. И если Samsung уже сделала все, чтобы “стричь купоны”, то конкуренты из-за массивных непрекращающихся инвестиций еще достаточно продолжительное время вынуждены будут балансировать на грани прибыльности. Но самым тревожным сигналом для международных игроков на этом рынке становится то, что Китай тоже включается в игру по выпуску 3D NAND.
В конце марта в Китае начнется строительство самой передовой фабрики по выпуску флеш-памяти 3D NAND. Новый завод будет принадлежать местной компании XMC Memory Fab. Предприятие начнет работать в 2017 г. Проектная мощность фабрики – 200 тыс. пластин в месяц. К радости конкурентов, на эту мощность предприятие выйдет за 5-10 лет. Действующий завод XMC Memory Fab по выпуску флеш-памяти ежемесячно может обрабатывать всего 20 тыс. пластин. Для сравнения, китайская фабрика компании Samsung по выпуску 3D NAND к концу прошлого года вышла на мощность порядка 100 тыс. пластин в месяц. Компания XMC Memory Fab будет выпускать память 3D NAND по технологии, разработанной совместно с компанией Spansion.
Аналитики считают, что в 2016 г. флеш-память NAND с лейблом “Made in China” в данной категории продукции будет удерживать около 8% мирового рынка. К лету следующего года эта доля обещает превысить 10%. Это означает, прежде всего, что ведущие мировые компании увеличивают инвестиции в собственные китайские заводы по выпуску памяти NAND. Компания Intel до третьего квартала 2017 г. завершит модернизацию завода в Даляне, который будет выпускать как 3D NAND, так и 3D XPoint. Также увеличат инвестиции в китайские заводы по выпуску 3D NAND компании Samsung и SK Hynix.
В 2016 г. лидером производства флеш-памяти и, в частности – 3D NAND, останется компания Samsung. До конца года доля 3D NAND в потоке ее продукции превысит 40%. Среди остальных крупнейших производителей энергонезависимой памяти только компании Intel и Micron смогут добиться внушительных темпов перехода на производство 3D NAND. Благодаря Samsung и Intel с Micron к концу 2016 г. доля 3D NAND в совокупном объеме NAND памяти достигнет 20%, тогда как по итогам 2015 г. ее доля едва превышала 6%. (Comments.ua/Машиностроение Украины и мира)