Samsung Electronics первой в отрасли освоила массовый выпуск микрочипов DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM по технологии 10-нанометрового класса. Методика 10-нанометрового класса предполагает нормы 10-19 нм, сообщает 3Dnews.
По сравнению с аналогичными изделиями 20-нанометрового класса (20-29 нм) энергопотребление чипов может быть снижено на 10-20%. К тому же число кристаллов на пластине увеличивается на 30%, что позволяет снизить их себестоимость.
В настоящее время Samsung применяет технологию 10-нанометрового класса при производстве чипов DDR4 DRAM емкостью 8 Гбит. На их основе будут выпускаться энергоэффективные модули оперативной памяти, поддерживающие высокую скорость передачи информации (названа цифра в 3200 Мбит/с).
В дальнейшем, технология 10-нанометрового класса будет задействована при изготовлении модулей ОЗУ емкостью 4-128 Гб. Они найдут применение в ноутбуках, настольных компьютерах, рабочих станциях, серверах и другом оборудовании, в том числе корпоративного класса. (Comments.ua/Машиностроение Украины и мира)