Машиностроение Украины и мира

Мировой рынок: инженерная ассоциация IEEE представила план развития широкозонных полупроводников

Силовая электроника на так называемых широкозонных полупроводниках – это та копейка, которая руб. бережет. Эффективность инверторов на ключах из карбида кремния или нитрида галлия достигает 99%. И это не единственное их преимущество, хотя в свете тотальной электрификации транспорта эффективность – это главное. Как этим распорядиться? Для этого институт IEEE подготовил трехуровневую “дорожную карту”.

Институт инженеров электротехники и электроники – IEEE – это некоммерческая ассоциация специалистов в области техники. На счету рабочих групп этой организации множество стандартов по радиоэлектронике, электротехнике и аппаратному обеспечению вычислительных систем и сетей. Всем привычный Wi-Fi, например, это серия стандартов IEEE 802.11х. Поэтому появление стандартов или рекомендаций IEEE в области развития и продвижения полупроводников с широкой запрещенной зоной можно только приветствовать.

Дискретные и интегрированные решения на широкозонных полупроводниках (WBG, wide bandgap) позволяют и позволят выпускать предельно компактные и эффективные преобразователи энергии для смартфонов, ноутбуков, серверов и бытовой электроники. Они найдут применение в системах питания электромобилей и в преобразователях энергии, полученной из возобновляемых источников (а там с мощностью или постоянством источников очень негусто, так что эффективность оправдает себя на все 100%).

Планы по оптимальному развитию WBG-решений и областей применения широкозонных полупроводников составили рабочие группы Общества IEEE PELS (Power Electronics Society). Это технологическая дорожная карта для силовых полупроводников с широкой запрещенной зоной или ITRW. “Цель этого документа – ускорить процесс НИОКР, чтобы реализовать потенциал этой новой технологии”.

Четыре направления ITRW включают области изучения подложек и отдельных элементов (транзисторов), конструкцию модулей и упаковку, решения и область применения полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) и область применения полупроводников на основе карбида кремния (SiC). В разработке рекомендаций в этих областях участвуют эксперты со всего мира, в том числе материаловеды и инженеры, специалисты по устройствам и исследователи, политики и представители промышленности и научных кругов.

Представленные планы по продвижению широкозонных полупроводников разделены на краткосрочные (5 лет), средние (5-15 лет) и долгосрочные. Краткосрочные планы опираются на существующие продукты и приложения. Среднесрочные планы разъясняют пути наиболее успешной коммерциализации WBG-разработок, а долгосрочные планы посвящены перспективным разработкам, например, созданию интегрированных WBG-преобразователей. “Дорожная карта” не бесплатная. Только участники PELS получат ее бесплатно. Для членов IEEE доступ к документу стоит $50, а для всех остальных – по $250.

Добавим, стандартами в области широкозонных полупроводников также занимается комитет JEDEC, и его рабочие группы уже достигли определенного успеха на этом пути. (3dnews.ru/Машиностроение Украины и мира)

Exit mobile version