ASML, которая занимается проектированием и созданием машин для производства чипов, поделилась своими прогнозами касательно будущего полупроводниковой промышленности. В документе для инвесторов голландская компания предрекла создание процессоров, которые будут содержать более 300 млрд. транзисторов к 2030 г. Компания заявляет, что закон Мура, согласно которому количество транзисторов на единицу площади удваивается каждые 18-24 месяца, жив.
Компания планирует создать оборудование для производства микросхем, содержащих 300 млрд. транзисторов, к 2030 г. Конечно, это непростая задача, ведь даже огромный актуальный графический процессор GA100 от NVIDIA содержит “всего” 54 млрд. транзисторов при площади 826 мкв. м. Однако ASML не сомневается в реальности создания чипов с 300 млрд. транзисторов. Компания планирует достичь этого, разделив процесс разработки чипов на две фазы: повышение плотности транзисторов и улучшение компоновки чипов.
Для техпроцессов ниже 5-нм, таких как 3- и 2-нм, компания хочет использовать полевые транзисторы на основе нанолистов в комбинации с литографией в EUV-диапазоне, чтобы обеспечить качественное масштабирование. После этого путь к 1,5-нм техпроцессу будет сложным и потребует раздвоенных нанолистов. При создании 1-нм чипов CFET станет предпочтительной технологией для изготовления транзисторов. Для техпроцессов тоньше 1-нм ASML будет использовать двумерные атомные каналы.
Поскольку к 2030 г. использование более 50 млрд. транзисторов станет стандартом для микросхем, ASML хочет развернуть передовые методы упаковки, чтобы объединить микросхемы и создать многочиповые модули, в результате чего будет получен процессор с более чем 300 млрд.и транзисторов.
Что касается памяти, перспективные методы изготовления позволят производителям к 2030 г. создать модули NAND с более чем 500 слоями. Отметим, что текущие модули NAND имеют не более 176 слоев. (3dnews/Машиностроение Украины и мира)