Министерство торговли США недавно обнародовало детали принятого в США “Закона о чипах и науке”. В нем объем ограничений для компаний, претендующих на субсидии, значительно шире по сравнению с введенными ранее санкциями, что должно еще больше снизить готовность международных компаний инвестировать в китайскую полупроводниковую промышленность в следующем десятилетии. Ограничения также коснутся ведения дел в Северной Корее, Иране и России.
Изначально запреты на экспорт касались прежде всего наиболее продвинутых технологий. Но после того, как к санкциям решили присоединиться Япония и Нидерланды, ключевые сканеры DUV, используемые в зрелых техпроцессах менее 16 нм, 28 нм и 40 нм, вероятно, будут включены в сферу действия ограничений. Эти события в сочетании с “Законом о чипах” означают, что развитие китайской полупроводниковой отрасли будет существенно ограничено, независимо от степени зрелости техпроцесса.
В последнее время наблюдается тенденция по переносу заказов на производство чипов на Тайвань из-за потребности минимизировать риски. Такие компании второго и третьего эшелонов, как VIS и PSMC, которые в основном сосредоточены на зрелых техпроцессах, значительно выиграли. Изменение структуры заказов, несомненно, обеспечит значительное восстановление полупроводниковых производств, которые в настоящее время страдают от избытка складских запасов и низкой загрузки производственных мощностей.
TSMC больше всего пострадает от обновленного американского законодательства, в основном из-за крушения ее планов по расширению производства в Китае. Хотя у TSMC имеется годовое разрешение на импорт, действующее до середины 2023 г., дальнейшее расширение китайских мощностей TSMC для 16/12-нм и 28/22-нм техпроцессов будет существенно ограничено в течение следующего десятилетия в связи с получением субсидий от США. Кроме того, 85% выпускаемой продукции предназначено для местного китайского рынка.
Что касается производства DRAM, то SK hynix – единственный крупный поставщик, у которого есть завод в Китае, но избыток предложения и геополитика привели к тому, что загрузка мощностей на этом заводе упала на четыре процентных пункта с 48% до 44%. Между тем, у Samsung и Micron нет мощностей по производству DRAM в Китае, и их планы по будущему расширению сосредоточены на Южной Корее и США соответственно. По оценкам TrendForce, доля Южной Кореи в глобальных мощностях по выпуску DRAM будет продолжать расти, а доля Китая будет снижаться в годовом исчислении, упав с 14% до 12% к 2025 г.
Ограничения на производство флэш-памяти NAND в Китае в основном применяются к процессам с более чем 128 слоями. Фабрика Samsung в Сиане сосредоточена на 128-слойных процессах и выпускает примерно 17% мировой флэш-памяти. На завод SK hynix в Даляне приходится 9%. Однако Samsung и SK hynix вряд ли станут расширять старые производственные линии, а планы по модернизации и увеличению производственных мощностей на китайских фабриках будут сильно ограничены. В целом ожидается, что к 2025 г. доля Китая в мировых мощностях флэш-памяти NAND упадет с 31% до 18%.
Многие американские компании начали ограничивать регионы производства памяти и накопителей или требуют от поставщиков вывести свои производственные мощности из Китая, чтобы избежать геополитических конфликтов. TrendForce прогнозирует формирование двух различных производственных регионов: китайских заводов, которые в первую очередь ориентированы на удовлетворение внутреннего спроса, и заводов за пределами Китая, которые будут обслуживать другие рынки. (3dnews/Машиностроение Украины и мира)