До сих пор единственным поставщиком микросхем HBM3 для нужд NVIDIA оставалась южнокорейская компания SK hynix, но в случае с HBM3e конкурирующая Micron Technology начала снабжать NVIDIA образцами своей продукции к концу июля, поэтому борьба за место на рынке в этом сегменте памяти будет ожесточенной. К 2026 г. на рынок будет готова выйти память типа HBM4, которая годом позднее увеличит количество слоев с 12 до 16 штук.
Ближайшая перспектива в эволюции памяти типа HBM3e, как поясняет TrendForce – это выход 8-слойных микросхем, которые к первому кварталу следующего года должны пройти сертификацию NVIDIA и прочих клиентов, а затем перейти в фазу серийного производства. Micron Technology в этой сфере слегка опережает SK hynix, предоставив свои образцы для тестирования на пару недель раньше, а вот Samsung успела сделать это только к началу октября. Память типа HBM3e способна обеспечить скорость передачи информации от 8 до 9,2 Гбит/с, восьмислойные микросхемы объемом 24 Гбайт будут выпускаться по техпроцессам класса 1-альфа (Samsung) или 1-бета (SK hynix и Micron). Их серийное производство к середине следующего года наладят все три компании, но две последних рассчитывают это сделать к началу второго квартала.
Во многом этот график будет определять ритмичность выхода новых ускорителей вычислений NVIDIA. В следующем году компания наладит поставки ускорителей H200 с шестью микросхемами HBM3e до конца того же года выйдут ускорители B100 уже с восемью микросхемами HBM3e. Попутно будут выпускаться гибридные решения с центральными процессорами с Arm-совместимой архитектурой, именуемые GH200 и GB200.
Конкурирующая компания AMD, по данным TrendForce, в 2024 г. сосредоточится на использовании памяти типа HBM3 в семействе ускорителей Instinct MI300, а переход на HBM3e прибережет для более поздних Instinct MI350. Тестирование памяти на совместимость в этом случае начнется во второй половине 2024 г., а фактические поставки микросхем HBM3e для AMD стартуют не ранее первого квартала 2025 г.
Представленные во второй половине прошлого года ускорители Intel Habana Gaudi 2 ограничиваются использованием шести стеков HBM2e, преемники серии Gaudi 3 к середине следующего года увеличат количество стеков до 8 штук, но останутся верны использованию микросхем HBM2e.
Память типа HBM4 будет представлена только в 2026 г., она предложит использование 12-нм подложки, которая будет изготавливаться контрактными производителями. Количество слоев в одном стеке памяти будет варьироваться между 12 и 16 штуками, причем микросхемы последнего типа появятся на рынке не ранее 2027 г. Впрочем, Samsung Electronics демонстрирует намерения представить HBM4 уже в 2025 г., наверстав упущенное по сравнению с предыдущими поколениями микросхем памяти этого класса.
В ближайшие годы сформируется и тренд на индивидуализацию дизайна решений с использованием памяти типа HBM. В частности, некоторые разработчики рассматривают возможность интеграции чипов такой памяти непосредственно на кристаллы с вычислительными ядрами. По крайней мере, NVIDIA подобные намерения уже приписываются, и именно в отношении микросхем типа HBM4. (3dnews/Машиностроение Украины и мира)