США: созданы миниатюрные плазменные транзисторы, способные работать в активной зоне ядерного реактора
Структура некоторых обычных кремниевых транзисторов способна выдержать нагрев до температуры в 350 град. С, при более высокой температуре структура транзисторов уже претерпевает необратимые изменения. Поэтому для работы в условиях высокой температуры используются транзисторы из других полупроводниковых материалов, к примеру, карбида кремния, который выдерживает нагрев до 550 град. С. Но существует еще один вид транзисторов –…