В декабре 2015 г. прошел ежегодный форум компании TSMC Supply Chain Management Forum с участием клиентов и партнеров производителя. К этому моменту TSMC отрапортовала о практически полной готовности к внедрению техпроцесса с нормами 10 нм с использованием FinFET транзисторов, сообщает 3Dnews.
Компания провела успешный эксперимент с выпуском 7-нм массива памяти SRAM. Опытное производство с использованием 7-нм техпроцесса обещает стартовать в начале 2017 г., чтобы уже в 2018 г. появилась возможность приступить к массовому производству 7-нм микросхем. Но самым интересным моментом доклада президента и соисполнительного директора TSMC – Марка Лю – стало утверждение о старте разработки 5-нм техпроцесса.
График внедрения техпроцесса с нормами 5 нм пока не утвержден. Также компания еще не определилась с возможностью задействовать для выпуска 5-нм решений сканеров с излучением в крайнем ультрафиолетовом диапазоне с длиной волны 13,5 нм (EUV).
Производитель EUV-сканеров – компания ASML – выпускает опытные сканеры с мощностью излучения не выше 90 Вт и готовит модификации со 125-Вт излучателями. Для массового выпуска чипов с экономически оправданными вложениями требуются источники EUV-излучения мощностью от 250 Вт и выше. Подобные сканеры появятся не раньше 2018 г. Ранний запуск разработки 5-нм техпроцесса в компании TSMC можно расценивать как негативный сценарий по отношению к перспективам EUV-оборудования.
Как ранее признались в TSMC, для выпуска 10-нм микросхем необходимо использовать по три фотошаблона на критически важные слои. Для производства решений с нормами менее 7 нм с использованием традиционных 193-нм сканеров и иммерсионной литографии понадобится уже от четырех до восьми фотошаблонов на каждый слой или 60-80 фотошаблонов на каждую микросхему. Это будут очень дорогие микросхемы. Опытным путем исследователи из бельгийского центра IMEC доказали, что даже частичное использование в процессе производства EUV-сканеров с недостаточно мощным источником излучения может минимум на треть снизить количество задействованных для производства фотошаблонов. По всей вероятности, компания TSMC для выпуска 5-нм чипов также будет рассматривать вопрос комбинированного использования 193-нм сканеров и EUV-сканеров. (Comments.ua/Машиностроение Украины и мира)