В 2018 г., используя 96-слойную структуру памяти 3D NAND и четырехбитовую ячейку QLC, компании Toshiba и Western Digital намерены организовать производство кристаллов энергонезависимой памяти емкостью 768 Гбит. До заветного терабита на один кристалл осталось совсем немного. Покорить этот рубеж собирается Samsung, сообщает “3Dnews”.
Пионер по разработке и массовому производству многослойной памяти 3D NAND сообщил, что производство 1-Тбит кристаллов стартует в следующем году.
Samsung не планирует увеличивать плотность размещения ячеек в каждом слое, хотя говорит о важности перехода на запись в каждую ячейку четырех бит данных. В компании не раскрыли таких деталей, как число слоев у 1-Тбит 3D NAND, хотя сообщили, что пропускная способность чипов поднимется до 1,2 Гбит/с.
В Samsung признались, что 1-Тбайт кристаллы будут по-новому упаковываться в многокристальные конструкции (стеки). Сейчас в стеке может находиться до 16 кристаллов. Новые стеки будет содержать до 32 кристаллов. Это означает, что появятся компактные однокорпусные решения толщиной не более 2 мм и объемом до 4 Тбайт. С подобными решениями производство 128-Тбайт 2,5-дюймовых SSD перестанет быть фантастикой. Для упаковки в стек 32 кристаллов 3D NAND разработчики ввели дополнительный нижний слой для проводной обвязки кристаллов в стеке.
Память Z-NAND компания позиционирует как конкурента памяти Intel 3D XPoint. Принцип работы у Z-NAND и 3D XPoint кардинально отличается. Память Intel использует для записи данных свойства веществ с изменяемым фазовым состоянием, а память Samsung Z-NAND – это доработанная определенным образом обычная многослойная 3D NAND. Рост производительности Z-NAND по отношению к 3D NAND объясняется тем, что в основе Z-NAND лежит однобитовая ячейка SLC и специальным образом оптимизированные контроллеры. В целом это дает хорошие показатели по скорости доступа. Латентность у рабочих образцов SSD на Z-NAND снижена до 15 мкс. Накопители Intel Optan DC P4800X в режиме чтения, напомним, характеризуются задержками на уровне 10 мкс. Не намного лучше решений Samsung.
Опытные экземпляры SSD на памяти Z-NAND Samsung поставляет таким клиентам, как компании NetApp и Datera. В будущем году Samsung обещает выпустить память Z-NAND с записью двух бит данных в ячейку. Это сделает накопители на Z-NAND дешевле, хотя, как признают разработчики, также приведет к некоторому увеличению латентности.
В компании рассчитывают увидеть память с латентностью менее одной микросекунды при переходе на память типа MRAM и PRAM.
В Samsung разрабатывают магниторезистивную память и память на основе вещества с изменяемым фазовым состоянием с 2002 г. и продолжают считать эти направления перспективными. (Comments.ua/Машиностроение Украины и мира)