Около половины мирового рынка передовой памяти HBM в настоящее время контролирует южнокорейская SK hynix, обгоняя своего более крупного конкурента – Samsung Electronics. Похоже, LG Electronics решила присоединиться к буму компонентов для систем ИИ на стороне поставщиков оборудования для производства чипов памяти, приступив к соответствующим разработкам.
Как поясняет издание SEDaily, корпоративный исследовательский институт в структуре LG Electronics без лишнего шума начал разработку оборудования для формирования гибридных соединений, которое пригодится при производстве микросхем HBM новых поколений. Ожидается, что соответствующее оборудование будет готово к 2028 г. Технология гибридного соединения позволяет создавать многоярусные микросхемы с относительно скромной высотой – она будет особенно востребована на фоне растущего спроса на более емкие чипы памяти типа HBM. Кроме того, этот метод способствует снижению тепловыделения и повышению производительности.
Предполагается, что новая технология формирования межслойных соединений найдет применение при создании микросхем HBM с числом слоев более 12. В настоящее время производители памяти как раз разрабатывают методы выпуска 16-ярусных стеков HBM. LG Electronics сотрудничает при разработке профильного оборудования с ведущими южнокорейскими учеными. Сейчас оборудование для работы с технологией гибридного соединения поставляют лишь нидерландская BESI и американская Applied Materials. Если LG удастся создать конкурентоспособные аналоги внутри Южной Кореи, она сможет успешно продавать их местным производителям памяти.
К 2028 г. SK hynix планирует начать выпуск памяти HBM4E, а Samsung – приступить к опытному производству HBM4. Разработкой аналогичного оборудования также занимаются другие южнокорейские поставщики, поэтому конкуренция в этой области обещает быть жесткой. (3dnews.ru)