Южная Корея: Samsung Electronics приступит к производству 1-Тбит 3D NAND
В 2018 г., используя 96-слойную структуру памяти 3D NAND и четырехбитовую ячейку QLC, компании Toshiba и Western Digital намерены организовать производство кристаллов энергонезависимой памяти емкостью 768 Гбит. До заветного терабита на один кристалл осталось совсем немного. Покорить этот рубеж собирается Samsung, сообщает “3Dnews”. Пионер по разработке и массовому производству многослойной памяти 3D NAND сообщил, что…
Подробнее